'Samsung gaat vanaf volgend jaar nand geheugen produceren met meer dan 300 lagen'

Samsung is mogelijk van plan om volgend jaar nand-geheugen met meer dan 300 lagen te gaan produceren. Dat meldt DigiTimes. Volgens dat medium is Samsung van plan om daarna 3D nand-geheugen met 430 lagen uit te brengen.

DigiTimes schrijft dat de V-NAND van de negende generatie van Samsung uit "meer dan 300 lagen" bestaat, hoewel het exacte aantal lagen niet bekend is. De productie staat gepland voor 2024, meldt Blocks and Files . Samsung mag voor deze productie gebruik maken van haar double stacking techniek. Eerst wordt een stapel 3D nand geproduceerd op een 300 mm wafer. Dan wordt er nog een stapel bovenop geproduceerd. Dit zou de opbrengst moeten maximaliseren, hoewel de productie ook langer duurt.

Volgens DigiTimes heeft Samsung later 430-laags nand-geheugen gepland, al is niet precies bekend wanneer de productie zou moeten starten. Samsung maakt mogelijk gebruik van een triple stacking- techniek, waarbij drie nand-stacks worden gecombineerd in plaats van twee. Samsung meldde vorig jaar dat het tegen 2030 nand-geheugen wil produceren met "meer dan duizend" lagen . Momenteel produceert het bedrijf nand-geheugen met maximaal 236 lagen.

Samsung is niet de enige fabrikant die werkt aan nand-geheugen met meer dan 300 lagen. SK hynix onthulde eerder deze maand zijn 321-laags nand-geheugen op de Flash Memory Summit in Californië. Die fabrikant gaat drie stapels nand op elkaar produceren om dat aantal lagen te bereiken. SK hynix zal in 2025 beginnen met de massaproductie van zijn 321-laags 3D-nand, schrijft AnandTech .

Over het algemeen staan meer lagen gelijk aan een hogere capaciteit per geheugenchip. Dit maakt het mogelijk om SSD's met grotere opslagcapaciteiten te produceren. Ook nemen de productiekosten per terabyte normaal gesproken af naarmate het aantal lagen toeneemt.